- Расшифровка номеров по каталогу Kingston
- Kingston FURY™ DDR5
- DDR5 ValueRAM
- Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3
- Расшифровка номеров по каталогу HyperX®
- DDR4 Server Premier
- DDR4 ValueRAM
- DDR3 & DDR2
- Глоссарий
- Емкость
- CAS-латентность
- Тип памяти DIMM
- Гигабит (Гбит)
- Гигабайт (ГБ)
- Комплект
- Скорость (так же называемая частотой)
- Латентность (тайминг)
- Модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8/4WP
- Основные характеристики
- Характеристики Kingston KVR16N11S8/4WP
- Основные характеристики
- Тайминги
- Дополнительные характеристики
- Отзывы
Расшифровка номеров по каталогу Kingston
Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.
Kingston FURY™ DDR5
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.
Номер артикула: KF548C38BB-16
- KF
- 5
- 48
- C
- 38
- B
- B
- K2
- —
- 16
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- не указано – отдельный модуль
- K2 – комплект из 2 модулей
DDR5 ValueRAM
Номер артикула: KVR48U40BS8LK2-32X
- KVR
- 48
- U
- 40B
- S
- 8
- L
- K2
- —
- 32
- X
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
- S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)
- 40 – 40-40-40
- 40B – 40-39-39
- 42 – 42-42-42
- S – одноранговый
- D – двухранговый
- 8 – микросхема DRAM x8
- 6 – микросхема DRAM x16
- не указано – стандартный
- L – очень низкий профиль (VLP)
- не указано – отдельный модуль
- K2 – комплект из 2 модулей
- K4 – комплект из 4 модулей
- 8 – 8 ГБ
- 16 – 16 ГБ
- 32 – 32 ГБ
- 64 – 64 ГБ
- 128 – 128 ГБ
- 256 – 256 ГБ
- не указано – стандартный пакет
- BK – большой пакет
Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.
Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64
- KF
- 4
- 32
- C
- 15
- B
- B
- 1
- A
- K4
- /
- 64
- 16 — 1600
- 18 — 1866
- 26 — 2666
- 29 — 2933
- 30 — 3000
- 32 — 3200
- 36 — 3600
- 37 — 3733
- 40 — 4000
- 42 — 4266
- 46 — 4600
- 48 — 4800
- 50 — 5000
- 51 — 5133
- 53 — 5333
- 9 — CL9
- 10 — CL10
- 11 — CL11
- 13 — CL13
- 15 — CL15
- 16 — CL16
- 17 — CL17
- 18 — CL18
- 19 — CL19
- 20 — CL20
- B — Beast
- R — Renegade
- I — Impact
- не указано — синий
- B — черный
- R — красный
- не указано — 1 я версия
- 1 — модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
- 2 — 2 я версия
- 3 — 3 я версия
- не указано — Без RGB-подсветки
- A — RGB-подсветка
- Пусто – отдельный модуль
- K2 — комплект из 2 модулей
- K4 — комплект из 4 модулей
- K8 — комплект из 8 модулей
- 4 — 4 ГБ
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ
- 64 — 64 ГБ
- 128 — 128 ГБ
- 256 — 256 ГБ
Расшифровка номеров по каталогу HyperX®
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston HyperX по спецификации.
Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32
- HX
- 4
- 29
- C
- 15
- P
- B
- 3
- A
- K4
- /
- 32
- 13 — 1333
- 16 — 1600
- 18 — 1866
- 21 — 2133
- 24 — 2400
- 26 — 2666
- 28 — 2800
- 29 — 2933
- 30 — 3000
- 32 — 3200
- 33 — 3333
- 34 — 3466
- 36 — 3600
- 37 — 3733
- 40 — 4000
- 41 — 4133
- 42 — 4266
- 46 — 4600
- 48 — 4800
- 50 — 5000
- 51 — 5133
- 53 — 5333
- 9 — CL9
- 10 — CL10
- 11 — CL11
- 12 — CL12
- 13 — CL13
- 14 — CL14
- 15 — CL15
- 16 — CL16
- 17 — CL17
- 18 — CL18
- 19 — CL19
- 20 — CL20
- F — FURY
- B — Beast
- S — Savage
- P — Predator
- I — Impact
- не указано- синий
- B — черный
- R — красный
- W — белый
- 2 — 2 я версия
- 3 — 3 я версия
- 4 — 4 я версия
- не указано — без RGB-подсветки
- A — RGB-подсветка
- не указано — отдельный модуль
- K2 — комплект из 2 модулей
- K4 — комплект из 4 модулей
- K8 — комплект из 8 модулей
- 4 — 4 ГБ
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ
- 64 — 64 ГБ
- 128 — 128 ГБ
- 256 — 256 ГБ
DDR4 Server Premier
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI
- KSM
- 26
- R
- D
- 4
- L
- /
- 32
- H
- A
- I
- 24: 2400 MT/s
- 26: 2666 MT/s
- 29: 2933 MT/s
- 32: 3200 MT/s
- E: модуль DIMM без буфера (ECC)
- R: зарегистрированный модуль DIMM
- L: модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
- SE: модуль SO-DIMM без буфера (ECC)
- S: одинарный
- D: двойной
- Q: Четырех
- L: очень низкопрофильный модуль DIMM
- 8 Гб
- 16 Гб
- 32 Гб
- 64 Гб
- 128 Гб
- 256 Гб
- A кристалла
- B кристалла
- E кристалла
DDR4 ValueRAM
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI
- KVR
- 21
- L
- R
- 15
- D
- 8
- L
- K2
- /
- 4
- H
- B
- I
- 21: 2133
- 24: 2400
- 26: 2666
- 29: 2933
- 32: 3200
- E: небуферизованный DIMM (ECC) с термодатчиком
- L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
- S: SO-DIMM, небуферизованный (не Ecc)
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- O: восьмиранковый
- 4: x4 микросхема DRAM
- 8: x8 микросхема DRAM
- 6: x16 микросхема DRAM
- Без обозначения: любая высота
- H: 31,25mm
- L: 18,75mm (VLP)
- Без обозначения: Отдельный модуль
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
- H: SK Hynix
- K: Kingston
- M: Micron
- S: Samsung
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM
Пример:
Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8
Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G
Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.
Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB
- KVR
- 16
- L
- R
- 11
- D
- 8
- L
- K2
- /
- 4
- H
- B
- Без обозначения: 1,5V
- L: 1,35V
- U: 1,25V
- E: небуферизованный DIMM (ECC)
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с
- L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
- S: SO-DIMM
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- 4: микросхема DRAM x4
- 8: микросхема DRAM x8
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
- K4: комплект из четырех модулей
- 4: 4Гб
- 8: 8Гб
- 12: 12Гб
- 16: 16Гб
- 24: 24Гб
- 32: 32Гб
- 48: 48Гб
- 64: 64Гб
- H: Hynix
- E: Elpida
- I: Сертификация Intel
DDR3 & DDR2
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB
- KVR
- 1066
- D3
- L
- D
- 8
- R
- 7
- S
- L
- K2
- /
- 4G
- H
- B
- Без обозначения: 1,5V
- L: 1,35V
- U: 1,25V
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- 4: микросхема DRAM x4
- 8: микросхема DRAM x8
- P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
- E: небуферизованный DIMM (ECC)
- F: FB DIMM
- M: Mini-DIMM
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
- S: SO-DIMM
- U: Micro-DIMM
- Без обозначения: без термодатчика
- S: с термодатчиком
- Без обозначения:Без обозначения
- L: 18,75mm (VLP)
- H: 30mm
- Без обозначения: Отдельный модуль
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
(PC2100, PC2700, PC3200)
Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G
- KVR
- 400
- X72
- R
- C3
- A
- K2
- /
- 1G
Глоссарий
Емкость
Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.
CAS-латентность
Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.
Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.
Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.
Тип памяти DIMM
UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.
Гигабит (Гбит)
Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл./выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 10 9 ) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.
Гигабайт (ГБ)
Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 10 9 ) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.
Комплект
Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.
Скорость (так же называемая частотой)
Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду). Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.
Латентность (тайминг)
Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.
Источник
Модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8/4WP
Коротко о товаре: 1600MHz CL11 1.5V 1R 4Gbit
- Описание
- Характеристики
- Отзывы
Основные характеристики
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR3, обладает емкостью 4 ГБ и 240-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 1600 МГц, а пропускная способность – 12800 Мб/с.
Характеристики Kingston KVR16N11S8/4WP
Основные характеристики
Тайминги
Дополнительные характеристики
Отзывы
- Описание
- Характеристики
- Отзывы
Kingston KVR16N11S8/4WP сертифицирован для продажи в России.
Модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8/4WP – фото, технические характеристики, условия доставки по Москве и России. Для того, чтобы купить модуль памяти ddr3 4gb Kingston KVR16N11S8/4WP в интернет-магазине Xcom-shop.ru, достаточно заполнить форму онлайн заказа или позвонить по телефонам: +7 (495) 799-96-69, +7 (800) 200-00-69.
Изображения товара, включая цвет, могут отличаться от реального внешнего вида. Комплектация также может быть изменена производителем без предварительного уведомления. Данное описание и количество товара не является публичной офертой.
Источник